Mitsubishi stellt die DFB-Laserdiode ›ML7xx42‹ und die Avalanche-Photodiode (APD) ›PD8xx24‹ für Anwendungen in optischen Netzwerk-Einheiten von symmetrisch passiven optischen 10-Gbit-Ethernet-Netzwerken vor.
Die ML7xx42 besitzt eine aktive AlGaInAs-Schicht, welche selbst bei hohen Umgebungs-temperaturen und niedrigen Betriebsströmen eine Ausgangsleistung von 10 W verspricht. Untergebracht in einem TO-CAN-Gehäuse mit 4,8 mm Durchmesser und mit asphärischen Linsen versehen, liegt das spektrale Maximum bei einer Wellenlänge von 1270 nm, während bei einer Ausgangsleistung von 10 mW der Betriebsstrom weniger als 70 mA beträgt. Die Diode ist für einen Temperaturbereich von –5 bis +75 °C ausgelegt. Die Multiplikationsschicht der PD8xx24 besteht aus AlInAs, wodurch Empfindlichkeiten von 31,5 dBm (typisch) erreicht werden. Die APD ist in einem Gehäuse mit 5,4 mm Durchmesser eingebaut und mit einer Kugellinse versehen. Sie arbeitet im Wellenlängen-band um 1570 nm und besitzt Ansprechverhalten von 0,8 A/W sowie eine Bandbreite von 6,5 GHz (typisch).